在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。

　　英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉(zhuǎn)折點，考慮到成本效益，它已可用于不同應(yīng)用。不過，為了讓這一新的半導(dǎo)體技術(shù)成為可以依靠的革命性技術(shù)，需要英飛凌這樣的合作伙伴。針對應(yīng)用量身定制產(chǎn)品、我們的生產(chǎn)能力、對技術(shù)組合和系統(tǒng)的全面了解：這四大優(yōu)勢使我們成為功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)者。依托英飛凌碳化硅產(chǎn)品組合，我們希望并且能夠達成這一目標(biāo)。”

　　全新1200 V碳化硅MOSFET已進行優(yōu)化，同時具備高可靠性與性能優(yōu)勢。其動態(tài)功率損耗要比1200V硅(Si)IGBT低一個數(shù)量級。首批產(chǎn)品將主推光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和充電/儲電系統(tǒng)等應(yīng)用。不久的將來推出的新型號，也將為打造適用于工業(yè)變頻器、醫(yī)療設(shè)備或鐵路設(shè)備輔助電源的革命性解決方案創(chuàng)造條件。

　　1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術(shù)的一大優(yōu)勢在于持久的堅固耐用性。這是由于其具備較低的工作時間失效(FIT)率和有效的短路能力，可適應(yīng)不同的應(yīng)用。得益于4 V的閾值電壓(Vth)和+15 V的推薦接通閾值(VGS))，這些晶體管能像IGBT一樣得到控制，在發(fā)生故障時得以安全關(guān)閉。碳化硅MOSFET可以實現(xiàn)高速開關(guān)，另外，英飛凌碳化硅MOSFET技術(shù)可以通過柵極電阻調(diào)節(jié)來改變開關(guān)速度，因此，可以輕松優(yōu)化EMC性能。

　　早在去年，英飛凌就已推出主導(dǎo)產(chǎn)品EASY 1B(半橋/Booster)以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin產(chǎn)品。EASY 1B平臺十分成熟，是實現(xiàn)快速開關(guān)器件的理想模塊平臺。在今年的PCIM展會上，英飛凌將展出基于1200 V SiC MOSFET技術(shù)的其他模塊平臺和拓撲。它們將逐步擴大CoolSiC MOSFET的性能范圍。英飛凌展出的碳化硅模塊包括：

　　· 采用B6(Six-Pack)拓撲的EASY 1B：該模塊的特點是成熟的英飛凌模塊配置，導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅45 mΩ。集成的體二極管確保低損耗續(xù)流功能。該EASY 1B適用于傳動、太陽能或焊接技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。

　　· 采用半橋拓撲的EASY 2B：這個較大的EASY器件，其性能增強，每個開關(guān)的RDS(ON)為8 mΩ。低電感模塊概念是功率超過50 kW和快速開關(guān)應(yīng)用的理想選擇，比如太陽能逆變器、快速充電系統(tǒng)或不間斷電源解決方案等。

　　· 采用半橋拓撲的62 mm：附加的半橋配置，具備更大功率，每個開關(guān)功能的RDS(ON)為6 mΩ。該模塊平臺為中等功率范圍系統(tǒng)實現(xiàn)低電感連接創(chuàng)造了條件。這一特性適合諸多應(yīng)用，包括醫(yī)療設(shè)備或鐵路設(shè)備的輔助電源等。由于有大量潛在應(yīng)用，英飛凌預(yù)計該模塊將迅速普及。

　　供貨

　　在2016年P(guān)CIM上推出的旗艦產(chǎn)品EASY 1B和兩個分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin，今年將逐步開始批量生產(chǎn)。EASY 1B半橋配置現(xiàn)已開始供貨。為支持其市場發(fā)布，英飛凌同步推出了多種驅(qū)動模塊和演示板，這些模塊和演示板也從現(xiàn)在起開始供貨。新產(chǎn)品型號已開始提供樣片，計劃于2018年開始批量生產(chǎn)。

　　英飛凌亮相PCIM 2017

　　在2017年國際電力電子展(PCIM)上，英飛凌展示了可提升工業(yè)、消費和汽車應(yīng)用系統(tǒng)效率的領(lǐng)先技術(shù)。