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中微告美商科林侵權一審勝訴

2017-04-19 08:02 閱讀 1878 來源：智能電子集成 評論區(qū)
中微提告美商科林侵犯商業(yè)秘密案已在一審判決獲得勝訴。
　　中微半導體設備表示，其提告美商科林研發(fā)股份公司（Lam Research Corporation）侵犯商業(yè)秘密案已在一審判決獲得勝訴。中微是在2010年12月向上海市第一中級人民法院提起訴訟，主張科林研發(fā)侵犯中微的商業(yè)秘密。
 
　　中微主張科林研發(fā)非法獲取中微機密的技術文件和機密的反應腔內部照片。中微還主張科林研發(fā)安排其技術專家在證據保全時不恰當地察看和測量中微刻蝕機的內部結構，然后使用獲取的信息于2009年向臺灣智慧財產法院起訴中微專利侵權，試圖影響中微產品進入臺灣市場，但最終科林研發(fā)敗訴。
 
　　在法院3月27日作出的判決中，法院命令科林研發(fā)銷毀其非法持有的照片，禁止科林研發(fā)和其員工披露、使用或允許他人使用中微的技術秘密，并要求科林研發(fā)賠償中微法律費用90萬元人民幣。
 
　　中微的主要業(yè)務是等離子體刻蝕設備和硅通孔刻蝕設備，現已應用在45納米到1X納米及先進加工工藝和封裝工藝中，截至目前已有超過600個中微刻蝕反應臺在亞洲地區(qū)30多條生產線上運行，另外，中微開發(fā)的用于LED和功率器件外延片大規(guī)模生產的MOCVD設備也已經在國內多條生產線上正常運行。
 
 
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