功率半導體器件在移動通訊、消費電子、開關電源、馬達驅動、LED驅動、新能源汽車、智能電網等領域發(fā)揮著越來越重要的作用，是降低功耗、提高效率的關鍵核心器件。華虹半導體近日宣布，其功率器件平臺累計出貨量突破500萬片晶圓。
得益于市場對超級結MOSFET(“金氧半場效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強勁需求，華虹半導體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓，并保持快速增長趨勢。
目前，公司已推出第三代SJNFET工藝平臺，技術參數達業(yè)界一流水平，可為客戶提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關速度更快和開關損耗更低的產品解決方案。公司的場截止型IGBT技術參數可比肩國際領先企業(yè)，并具有出色的背面晶圓加工能力，是中國大陸唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠商。
華虹半導體執(zhí)行副總裁范恒先生表示：“功率MOSFET累計出貨量突破500萬片是華虹半導體的一個重要里程碑，越來越多的功率系統(tǒng)設計人員將目光投向我們，尋求綠色能源、快速充電、工業(yè)應用等方面領先的電源管理芯片代工方案。以綠色創(chuàng)‘芯’為主軸，我們還將重點關注整個新能源汽車的產業(yè)鏈，包括充電樁、電池保護、馬達驅動等應用。此外，我們正在加速研發(fā)應用于高端工業(yè)和能源領域的超高壓IGBT技術，相信會進一步鞏固公司在功率器件領域的領先地位。”
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