隨著業(yè)界對(duì)高帶寬存儲(chǔ)(HBM)這類(lèi)DRAM的大力投資，通用型DRAM的產(chǎn)能利用率相對(duì)較低，三星和SK海力士的產(chǎn)能利用率僅在80%到90%之間，與NAND閃存的全速生產(chǎn)形成鮮明對(duì)比，通用型DRAM內(nèi)存芯片可能面臨供應(yīng)短缺的局面。

　　與HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手機(jī)、PC的內(nèi)存芯片，這一供應(yīng)短缺的信號(hào)可能預(yù)示著DRAM內(nèi)存芯片的價(jià)格上漲。自2024年初以來(lái)，通用型DRAM的產(chǎn)能僅提升了大約10%，而智能手機(jī)、PC和服務(wù)器市場(chǎng)的增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)僅為2%到3%。全球云計(jì)算和科技公司在AI基礎(chǔ)設(shè)施上的投資削減，也未能顯著推動(dòng)DRAM需求的復(fù)蘇。盡管業(yè)界對(duì)通用型DRAM需求反彈持謹(jǐn)慎樂(lè)觀態(tài)度，但這一可能性很大程度上取決于終端設(shè)備AI能力的普及程度。PC制造商和智能手機(jī)廠(chǎng)商，如三星和蘋(píng)果，正在積極探索AI技術(shù)在各自產(chǎn)品中的應(yīng)用，以期帶動(dòng)市場(chǎng)需求。

　　日前，電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國(guó)際知名學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開(kāi)發(fā)出“耐疲勞鐵電材料”，在全球范圍內(nèi)率先攻克困擾領(lǐng)域內(nèi)70多年的鐵電材料疲勞問(wèn)題。中國(guó)科學(xué)家再次走在了世界前列。

　　鐵電材料因具有超快的讀寫(xiě)速度、斷電后數(shù)據(jù)不丟失、以及超低功耗和抗輻照能力，是開(kāi)發(fā)非易失性存儲(chǔ)芯片的理想材料之一。此外，其具有可切換的電極化，被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)類(lèi)腦智能器件和存算一體架構(gòu)的候選技術(shù)方案。然而，存儲(chǔ)芯片存在讀寫(xiě)次數(shù)限制，不可避免的疲勞失效問(wèn)題，導(dǎo)致鐵電材料存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)次數(shù)受限，阻礙了鐵電材料的實(shí)際應(yīng)用。基于二維3R-MoS2滑移鐵電材料，團(tuán)隊(duì)聯(lián)合提出一種性能優(yōu)異的抗疲勞鐵電系統(tǒng)。為解決鐵電材料領(lǐng)域長(zhǎng)期存在的疲勞問(wèn)題提供了一種全新途徑，有望推動(dòng)該材料在鐵電存儲(chǔ)器及類(lèi)腦智能芯片等方面應(yīng)用。