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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

新款DRAM同時擁有卓越的速度與更高的能效。

  三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米(nm)級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。

  三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示:"三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效,我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅動系統(tǒng)等領域更可持續(xù)運營的基礎。"

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM

  AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算、圖形首席技術官Joe Macri表示:"創(chuàng)新往往少不了與行業(yè)伙伴的密切合作,來拓寬技術的邊界。我們很高興能與三星電子再度合作,特別是推出在Zen平臺上優(yōu)化和驗證的DDR5內存產品。"

  這一技術突破是通過使用一種新的高介電(high-k)材料來增加電池電容,以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現(xiàn)的。結合先進的多層極紫外(EUV)光刻技術,新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度(Die density),可使晶圓生產率提高20%。

  基于DDR5最新標準,三星12nm級DRAM將解鎖高達7.2千兆每秒(Gbps)的速度,這意味著一秒鐘內處理兩部30GB的超高清(UHD)電影。

  新款DRAM同時擁有卓越的速度與更高的能效。與上一代三星DRAM產品相比,12nm級DRAM的功耗降低約23%,對于更多追求環(huán)保經(jīng)營的全球IT企業(yè)來說,這將會是值得考慮的優(yōu)選解決方案。

  隨著2023年新款DRAM量產,三星計劃將這一基于先進12nm級工藝技術的DRAM產品擴展到更廣泛的市場領域,同時繼續(xù)與行業(yè)伙伴合作,推動下一代計算的快速發(fā)展。


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