近日，韓國晶圓代工廠商 DB HiTek 通過在硅晶圓片上制作由氮化鎵 (GaN) 材料制成的薄膜來生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片，該技術(shù)能夠響應(yīng)通信設(shè)備、電動汽車充電器和太陽能轉(zhuǎn)換器等快速增長的市場。
據(jù)韓媒 etnews 報道，GaN 是下一代半導(dǎo)體材料，可提高通信設(shè)備、電動汽車快速充電器和太陽能轉(zhuǎn)換器的電源效率。DB HiTek 將生產(chǎn)基于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 技術(shù)的 8 英寸半導(dǎo)體，該技術(shù)預(yù)計可以通過提高半導(dǎo)體制造的競爭力來簡化晶片加工以增強(qiáng)盈利能力。
據(jù)了解，DB HiTek 預(yù)計今年將利用其忠北工廠來應(yīng)對 8 英寸市場，該公司計劃通過充分利用忠北的 Sangwoo fab 產(chǎn)能或進(jìn)行額外投資來滿足對電動汽車和電動設(shè)備等 8 英寸半導(dǎo)體的需求。
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