～同時(shí)降低輻射噪聲與系統(tǒng)成本～
ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor，作為高可靠性 DRAM系列產(chǎn)品，新開發(fā)出搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭載了4級(jí)輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)用戶系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅(qū)動(dòng)能力，降低輻射噪聲，從而可減少噪聲對(duì)策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。另外，引線框架采用焊接連接可靠性更高的銅(Cu)框架，因此，還非常適用于車載設(shè)備等要求高可靠性的用途。本產(chǎn)品的樣品已經(jīng)在售，計(jì)劃從2014年3月份開始以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模開始量產(chǎn)銷售。
背景
在中小容量SDRAM的用途之一車載設(shè)備系統(tǒng)中，工作時(shí)發(fā)生的輻射噪聲會(huì)對(duì)高頻段等產(chǎn)生影響，因此，對(duì)于提升系統(tǒng)品質(zhì)來說，降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著眼于該課題，為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性，早在以往產(chǎn)品16M bit /64M bit SDRAM上就開始搭載按3級(jí)改變讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。該功能在車載領(lǐng)域獲得極高好評(píng)，為擴(kuò)大在需要更大容量SDRAM的用途中的應(yīng)用范圍，LAPIS Semiconductor開發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。
另外，DRAM的主流產(chǎn)品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展，中小容量SDRAM的供應(yīng)越來越不穩(wěn)定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統(tǒng)DRAM注1，作為唯一可長期供貨的日本國內(nèi)制造商，不僅面向車載用途市場，而且面向更廣闊的工業(yè)設(shè)備市場，正在不斷完善產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。
新產(chǎn)品詳情
1.搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能
為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性，搭載變更讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。通過擴(kuò)展模式寄存器配置可設(shè)定4級(jí)驅(qū)動(dòng)能力。
本功能有助于實(shí)現(xiàn)適合用戶系統(tǒng)的電流驅(qū)動(dòng)能力優(yōu)化、降低輻射噪聲、減少輻射噪聲對(duì)策零部件數(shù)量。另外，可按出貨時(shí)固定規(guī)格的驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定供貨，即使使用已有的SDRAM控制器無需配置擴(kuò)展模式寄存器，即可使用最佳的輸出驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定的產(chǎn)品。
2.采用銅引線框架
為滿足車載設(shè)備領(lǐng)域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求，本產(chǎn)品采用連接可靠性優(yōu)異的銅(Cu)引線框架。與以往的42合金引線框架相比，其與PCB板的熱膨脹系數(shù)更相近，因此，提高了焊接連接可靠性，滿足了汽車廠家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹循環(huán)標(biāo)準(zhǔn)。另外，還同時(shí)抑制了錫晶須不良的發(fā)生。
3.滿足車載品質(zhì)
為實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)，支持定制符合客戶要求品質(zhì)的測(cè)試工序。
4.芯片銷售遵循KGD(Known Good Die)保證
從晶圓級(jí)保證與封裝產(chǎn)品同等的品質(zhì)，通過與客戶的使用方法相匹配的測(cè)試工序，提供高品質(zhì)的芯片產(chǎn)品。
LAPIS Semiconductor今后也會(huì)以不斷推出客戶放心使用的高可靠性SDRAM產(chǎn)品并長期穩(wěn)定供應(yīng)為目標(biāo)，進(jìn)一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2，不斷擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM注1產(chǎn)品的陣容。
銷售計(jì)劃
?產(chǎn)品名 ：MD56V72160C / MD56V82160A
?包裝形態(tài) ：托盤1080個(gè)
?樣品出售時(shí)間 ：樣品出售中
?樣品價(jià)格(參考)：MD56V72160C 360日元(不含稅)
MD56V82160A 520日元(不含稅)
?量產(chǎn)出售計(jì)劃 ：2014年3月開始
產(chǎn)品概要/特點(diǎn)
?規(guī)格 ：滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
?存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) ：4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)
4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)
?地址大小 ：4,096行 × 512列(MD56V72160C)
8,192行 × 512列(MD56V82160A)
?工作頻率 ：166MHz(max.)
?接口 ：LVTTL兼容
?功能 ：通用SDRAM指令接口
?電源電壓 ：3.3V±0.3V
?工作溫度范圍 ：0℃ ～ +70℃ / -40℃ ～ +85℃
?刷新 ：自動(dòng)刷新時(shí) 4,096次/64msec(MD56V72160C)
8,192次/64msec(MD56V82160A)
自刷新
?消耗電流(Typ.) ：工作時(shí)(166MHz) 100mA (MD56V72160C)
150mA (MD56V82160A)
待機(jī)時(shí)(動(dòng)態(tài)待機(jī)時(shí)) 50mA (MD56V72160C)
65mA (MD56V82160A)
關(guān)機(jī)時(shí) 3mA
?封裝 ：54Pin TSOP
銅引線框架、滿足RoHS指令、無鉛、無鹵
術(shù)語解說
傳統(tǒng)DRAM
DRAM市場隨著電腦和手機(jī)的高性能化發(fā)展，主流產(chǎn)品逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榇笕萘?、高速DRAM，中小容量DRAM的供應(yīng)廠家日益減少。然而，消費(fèi)電子設(shè)備和車載設(shè)備等產(chǎn)品中，從噪聲設(shè)計(jì)角度等出發(fā)，適用中小容量、中速DRAM的應(yīng)用大量存在。另外，通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等生命周期較長的產(chǎn)品中，從控制器變更等設(shè)計(jì)變更較難或想控制設(shè)計(jì)變更費(fèi)用等角度出發(fā)，存在希望繼續(xù)使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor將這些中小容量DRAM定位為“傳統(tǒng)DRAM”，不斷開發(fā)滿足車載市場和工業(yè)設(shè)備市場需求的高可靠性新產(chǎn)品，以進(jìn)一步擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)品陣容，為客戶提供長期穩(wěn)定供應(yīng)。
本文所提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱均為各公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。
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