日本東芝公司、美國IBM和AMD公司17日聯(lián)合發(fā)表新聞公報說，這3家公司共同利用鰭式場效晶體管開發(fā)出面積僅0．128平方微米的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）元件，并確認這種世界上最小的SRAM元件能夠正常工作。
公報說，以往使用平面晶體管制造SRAM元件時，半導(dǎo)體廠家通常依靠向元件內(nèi)注入大量混合物來調(diào)節(jié)晶體管的特性，從而縮小晶體管的體積。但是，這樣的調(diào)節(jié)方法容易造成晶體管特性參差不齊，從而導(dǎo)致SRAM元件穩(wěn)定工作的性能下降。而不需要向硅通道注入大量混合物的鰭式場效晶體管，被業(yè)界認為可以替代以往的平面晶體管，從而既抑制晶體管特性的參差不齊，又可實現(xiàn)SRAM元件的小型化。
公報說，研究人員依靠新技術(shù)，用極其微小的非平面晶體管——鰭式場效晶體管制造出了SRAM元件。此前，世界上最小的SRAM元件的面積為0．274平方微米，新研制出的SRAM元件的面積比前者縮小了超過50％。
SRAM是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路就能保持它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)不消失，因而具有更高的性能。把SRAM元件做得更小，芯片面積也能隨之縮小，就有可能制作出更高速且更省電的處理器。
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