隨著半導(dǎo)體資本支出在今年上半年大幅增加，IC Insights將2017年度的半導(dǎo)體資本支出預(yù)測(cè)提高至809億美元，較2016年的673億美元增長(zhǎng)20%，同時(shí)創(chuàng)下了歷年新高；其中增長(zhǎng)幅度最大的產(chǎn)品類別是DRAM，預(yù)估2017資本支出將激增53%。
晶圓代工今年資本支出約228億美元，將較去年略增4%，是半導(dǎo)體資本支出金額最多的領(lǐng)域，所占比重將達(dá)28%。其次是NAND閃存，2017年預(yù)計(jì)支出190億美元，同比增長(zhǎng)33%，占比24%。而其中增幅最高的是DRAM，預(yù)計(jì)今年資本支出金額達(dá)130億美元，同比增長(zhǎng)達(dá)53%。
隨著DRAM價(jià)格自2016年三季度以來大幅上漲，DRAM廠商再次加大了資本支出。然而，盡管主要支出都用于投資在先進(jìn)技術(shù)，但DRAM生產(chǎn)商海力士(SK Hynix)最近也承認(rèn)僅靠技術(shù)進(jìn)步就無法滿足需求，需要增加晶圓產(chǎn)生。
圖：2017半導(dǎo)體資本支出產(chǎn)品類別。(IC Insights)
在閃存方面，2017年閃存的所有資本支出都將投資在先進(jìn)的3D NAND處理技術(shù)，包括三星(Samsung)在韓國(guó)平澤(Pyeongtaek)的新晶圓廠在內(nèi)，也將投入3D NAND的生產(chǎn)。
雖然今年度半導(dǎo)體資本支出預(yù)期將創(chuàng)下新高，特別是內(nèi)存部份增長(zhǎng)都創(chuàng)新記錄，但內(nèi)存市場(chǎng)的歷史表明，過多支出通常會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和隨之而來的價(jià)格下跌。隨著三星、海力士、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝/西部數(shù)據(jù)/ SanDisk和XMC /長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)都計(jì)劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量（新中國(guó)制造商可能進(jìn)入市場(chǎng)），IC Insights也提醒未來NAND閃存市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)也正日益增長(zhǎng)。
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