采用TSV技術(shù)制造的器件具有垂直電極和貫穿硅芯片模的通孔以提供連接，這種結(jié)構(gòu)在降低功耗的同時，可實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)輸入和輸出。其實際性能在之前推出東芝二維NAND閃存時已得到驗證。
結(jié)合48層3D閃存制程和TSV技術(shù)，使東芝內(nèi)存公司能夠成功增加產(chǎn)品程序設(shè)計帶寬，同時獲致低功耗。單一封裝的功率效率是采用引線接合技術(shù)制造的同一代BiCS FLASH閃存功率效率的近兩倍。TSV BiCS FLASH還在單一封裝內(nèi)實現(xiàn)了具有16顆粒堆棧式結(jié)構(gòu)的1TB存儲設(shè)備。
東芝內(nèi)存公司將推動采用TSV技術(shù)的BiCS FLASH的商業(yè)化，為包括高階企業(yè)級SSD在內(nèi)的儲存應(yīng)用提供理想的低延遲、高帶寬和高IOPS/watt解決方案。
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