這些1200伏特(V) IGBT利用安森美半導(dǎo)體專有的超場截止溝槽技術(shù)并符合現(xiàn)代開關(guān)應(yīng)用的嚴(yán)格要求，如不間斷電源、太陽能逆變器和焊接。它們能實現(xiàn)領(lǐng)先行業(yè)的總開關(guān)損耗(Ets)特點，顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。
安森美半導(dǎo)體功率分立器件分部副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說：“我們很高興公司新的超場截止1200 V IGBT獲得Top 10電源產(chǎn)品獎，認(rèn)可了我們?yōu)榇蠊β书_關(guān)系統(tǒng)在電源能效設(shè)立的新基準(zhǔn)。安森美半導(dǎo)體已投入可觀資金，利用我們專有的超場截止溝槽技術(shù)設(shè)計IGBT器件，完美地平衡VCEsat和Ets，降低開關(guān)損耗，增強(qiáng)電源能效，提供強(qiáng)固工作和高性價比。”
每年的Top 10電源產(chǎn)品獎項需通過專家評委會嚴(yán)格的評估和推薦程序鑒別一系列電源產(chǎn)品。評審提名產(chǎn)品的3個主要標(biāo)準(zhǔn)為：創(chuàng)新設(shè)計、性價比及技術(shù)突破。
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