這些1200伏特(V) IGBT利用安森美半導體專有的超場截止溝槽技術并符合現(xiàn)代開關應用的嚴格要求，如不間斷電源、太陽能逆變器和焊接。它們能實現(xiàn)領先行業(yè)的總開關損耗(Ets)特點，顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。
安森美半導體功率分立器件分部副總裁兼總經理Asif Jakwani說：“我們很高興公司新的超場截止1200 V IGBT獲得Top 10電源產品獎，認可了我們?yōu)榇蠊β书_關系統(tǒng)在電源能效設立的新基準。安森美半導體已投入可觀資金，利用我們專有的超場截止溝槽技術設計IGBT器件，完美地平衡VCEsat和Ets，降低開關損耗，增強電源能效，提供強固工作和高性價比。”
每年的Top 10電源產品獎項需通過專家評委會嚴格的評估和推薦程序鑒別一系列電源產品。評審提名產品的3個主要標準為：創(chuàng)新設計、性價比及技術突破。
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