南韓海力士半導(dǎo)體公司（HynixSemiconductor）日前宣布，已使用最細(xì)微技術(shù)研發(fā)出全球密度最高記憶體芯片。海力士這種嶄新的“DDR3DRAM”（DDR3動態(tài)隨機存取記憶體）芯片采用的技術(shù)，能讓內(nèi)部線路相距僅40納米，細(xì)微度是目前產(chǎn)品的1/5。
海力士表示，這項新產(chǎn)品的生產(chǎn)效率較現(xiàn)有芯片提升50%，因為比現(xiàn)有制程耗費更少能源和成本。海力士說，將從今年第三季開始量產(chǎn)。
海力士發(fā)言人說：“海力士成為成功應(yīng)用40納米級技術(shù)至DDR3DRAM芯片的全球首家廠商。研發(fā)出此新芯片，將有助于海力士在快速變遷的記憶體芯片市場繼續(xù)維持領(lǐng)先地位。”
全球經(jīng)濟下滑嚴(yán)重打擊記憶體芯片產(chǎn)業(yè)，由于全球需求劇跌，日本東芝公司（Toshiba）被迫減產(chǎn)，臺灣多家主要廠商也尋求當(dāng)局紓困。
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