新世代的ReRAM在量產(chǎn)后可望憑借技術優(yōu)勢和三星、東芝等大廠競爭目前由NAND Flash主導的龐大內(nèi)存市場。
聯(lián)電(UMC)和松下
半導體（Panasonic Semiconductor Solutions, PSCS）宣布將針對新一代可變電阻式內(nèi)存（ReRAM）合作開發(fā)次世代40納米制程技術，預計2018年出樣。新世代的ReRAM在量產(chǎn)后可望憑借技術優(yōu)勢和三星、東芝等大廠競爭目前由NAND Flash主導的龐大內(nèi)存市場。
ReRAM是與NAND Flash一樣的非揮發(fā)性內(nèi)存，可藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜，產(chǎn)生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡，由兩電極間簡易金屬氧化物架構(gòu)組成，使其同時有低功耗和高寫入速度的優(yōu)點。PSCS于2013年即開始量產(chǎn)0.18微米制程ReRAM，并與8位元微控制器共同搭載在可攜式醫(yī)療裝置當中。
由于DRAM及2D NAND Flash制程微縮已達物理瓶頸，除在電晶體架構(gòu)上往3D架構(gòu)發(fā)展外，新一代ReRAM已成許多內(nèi)存廠或系統(tǒng)業(yè)者爭相布局的市場。PSCS在與日本富士通（Fujitsu）合作開發(fā)ReRAM后，昨日宣布與聯(lián)電建立合作關系，投入40納米ReRAM制程開發(fā)。
PSCS總裁Kazuhiro Koyama指出，該公司是最早推動ReRAM量產(chǎn)的公司，此次合作結(jié)合了PSCS的ReRAM制程和聯(lián)電的CMOS制程技術，將加快市場采用ReRAM的腳步。
據(jù)表示，兩家公司合作開發(fā)的次世代ReRAM不僅能應用在IC卡及穿戴裝置，也能大量應用在成長快速的物聯(lián)網(wǎng)應用中，相關晶片將在2018年開始進行送樣，并可望在2019年進入量產(chǎn)。
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