新世代的ReRAM在量產(chǎn)后可望憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)和三星、東芝等大廠競(jìng)爭(zhēng)目前由NAND Flash主導(dǎo)的龐大內(nèi)存市場(chǎng)。
聯(lián)電(UMC)和松下
半導(dǎo)體（Panasonic Semiconductor Solutions, PSCS）宣布將針對(duì)新一代可變電阻式內(nèi)存（ReRAM）合作開(kāi)發(fā)次世代40納米制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2018年出樣。新世代的ReRAM在量產(chǎn)后可望憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)和三星、東芝等大廠競(jìng)爭(zhēng)目前由NAND Flash主導(dǎo)的龐大內(nèi)存市場(chǎng)。
ReRAM是與NAND Flash一樣的非揮發(fā)性?xún)?nèi)存，可藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜，產(chǎn)生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡(jiǎn)，由兩電極間簡(jiǎn)易金屬氧化物架構(gòu)組成，使其同時(shí)有低功耗和高寫(xiě)入速度的優(yōu)點(diǎn)。PSCS于2013年即開(kāi)始量產(chǎn)0.18微米制程ReRAM，并與8位元微控制器共同搭載在可攜式醫(yī)療裝置當(dāng)中。
由于DRAM及2D NAND Flash制程微縮已達(dá)物理瓶頸，除在電晶體架構(gòu)上往3D架構(gòu)發(fā)展外，新一代ReRAM已成許多內(nèi)存廠或系統(tǒng)業(yè)者爭(zhēng)相布局的市場(chǎng)。PSCS在與日本富士通（Fujitsu）合作開(kāi)發(fā)ReRAM后，昨日宣布與聯(lián)電建立合作關(guān)系，投入40納米R(shí)eRAM制程開(kāi)發(fā)。
PSCS總裁Kazuhiro Koyama指出，該公司是最早推動(dòng)ReRAM量產(chǎn)的公司，此次合作結(jié)合了PSCS的ReRAM制程和聯(lián)電的CMOS制程技術(shù)，將加快市場(chǎng)采用ReRAM的腳步。
據(jù)表示，兩家公司合作開(kāi)發(fā)的次世代ReRAM不僅能應(yīng)用在IC卡及穿戴裝置，也能大量應(yīng)用在成長(zhǎng)快速的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中，相關(guān)晶片將在2018年開(kāi)始進(jìn)行送樣，并可望在2019年進(jìn)入量產(chǎn)。
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