欧美,日韩中文字幕在线,男女性杂交内射妇女bbwxz,久久99久久9国产精品免费看,久久久久无码精品国产app,免费无码成人片

a&s專業(yè)的自動化&安全生態(tài)服務平臺
公眾號
安全自動化

安全自動化

安防知識網(wǎng)

安防知識網(wǎng)

手機站
手機站

手機站

大安防供需平臺
大安防供需平臺

大安防供需平臺

資訊頻道橫幅A1
首頁 > 資訊 > 正文

VLT技術(shù)革新刷新限制 將取代傳統(tǒng)DRAM的系統(tǒng)應用

通過適當?shù)脑O(shè)計架構(gòu)、命令以及時序,VLT無需要進行任何改變,就可以與傳統(tǒng)內(nèi)存芯片無差別地應用在實際系統(tǒng)上。

    不需要刷新是VLT內(nèi)存單元的重要優(yōu)勢,因此,與普通DRAM內(nèi)存單元相比,其打造的內(nèi)存成本更少、功耗更低,而且目前VLT內(nèi)存芯片已經(jīng)具備與現(xiàn)有的LPDDR4內(nèi)存完美兼容的能力,通過適當?shù)脑O(shè)計架構(gòu)、命令以及時序,VLT無需要進行任何改變,就可以與傳統(tǒng)內(nèi)存芯片無差別地應用在實際系統(tǒng)上。

  垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass目前新研發(fā)出的新型內(nèi)存單元,能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單元,無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設(shè)備,也無需任何新的材料或工藝。

  相較于一般的DRAM,VLT內(nèi)存數(shù)組能節(jié)約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內(nèi)存單元,以及驅(qū)動更長行與列的能力,使其得以大幅提升內(nèi)存數(shù)組效率。然而,想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢,就必須在依據(jù)產(chǎn)業(yè)標準發(fā)展的成熟DRAM市場展開設(shè)計與制造,才能確保兼容于不同供應商的內(nèi)存產(chǎn)品。

  目前,基于VLT技術(shù)的內(nèi)存已經(jīng)具備與現(xiàn)有「第四代低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率」(LPDDR4)規(guī)格完全兼容的能力。VLT內(nèi)存組(bank)可以模擬傳統(tǒng)DRAM的bank,并兼容于其頻率;在設(shè)計VLT電路時,設(shè)計者可以選擇連接標準DDR控制器,或是成本較低的簡化版控制器。如果使用標準控制器,由于不需要刷新,VLT內(nèi)存將會忽略刷新序列。系統(tǒng)的其他部份則會將VLT DRAM視為通用DRAM,因而無需任何改變。

傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存單元

  為了顯示如何使用VLT內(nèi)存單元構(gòu)造LPDDR4內(nèi)存,首先回顧一下傳統(tǒng)DRAM以及LPDDR4的工作方式。熟悉DRAM者或許對其有所了解,但實際運用上還是有些微差異,在此先定義一些準則與術(shù)語以便于理解。

  DRAM作業(yè)的許多方面取決于其電容儲存單元。首先,電容的漏電特性導致了刷新的必要性;其次,儲存單元的基本作業(yè)方式之一是讀取,它會影響如何組織內(nèi)存的其他方面。

  圖1顯示電容儲存單元的原理圖,左右圖分別代表了讀取1和讀取0時。電路透過“電荷分配”(charge sharing)偵測內(nèi)存位值。位線(bitline)首先被預充電到一個在0和1之間的電壓值,然后透過打開讀數(shù)晶體管來選擇一個內(nèi)存單元,使電荷可以在位線與內(nèi)存單元間流動。如果位線電壓高于內(nèi)存單元,那么負電荷就會從內(nèi)存單元流出到位在線;而如果位線的電壓低于內(nèi)存,那么負電荷就會從位線流進內(nèi)存單元。

  

VLT內(nèi)存芯片如何輕松應用在實際系統(tǒng)上?

 

  圖1:傳統(tǒng)電容式DRAM內(nèi)存單元的電荷分配原理 (圖中綠色箭頭所示為電流,與負電荷流動的方向相反)

  這種電荷轉(zhuǎn)移改變了位在線的電壓,透過感測與鎖存得到最終讀取數(shù)值。然而,在儲存電容中失去或取得的電荷,改變了節(jié)點上原有的電荷,這意味著讀取的過程是破壞性的。因此,在每一次讀取之后,都必須透過回寫操作恢復內(nèi)存單元中的電荷。

LPDDR4

  LPDDR4標準是第四代雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR) DRAM的低功耗版本標準,透過整體架構(gòu)定義了個別內(nèi)存芯片的高層級結(jié)構(gòu),以及如何安排雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)。

  分析DRAM的方式一般有兩種:理論上,剖析其實體細節(jié);實際上,則著眼于其芯片數(shù)組特性。本文首先探討第一種邏輯觀點,因為所有的實體布局都必須分解為相同的邏輯結(jié)構(gòu),因而能夠從中了解傳統(tǒng)DRAM和LVT途徑如何實現(xiàn)邏輯功能。

  LPDDR4內(nèi)存芯片擁有8Gb的儲存容量,通常由兩個4Gb的獨立通道共同組成。每信道擁有8個內(nèi)存組,每一內(nèi)存組包括32K儲存頁(page),每頁有16K位,而使內(nèi)存組的總?cè)萘窟_到512Mb。

  

VLT內(nèi)存芯片如何輕松應用在實際系統(tǒng)上?

 

  圖2:典型的DRAM架構(gòu)和層級

  一個完整的LPDDR4內(nèi)存芯片包括兩個高層級單元:內(nèi)存數(shù)組和DDR接口。有些部份的操作會影響到內(nèi)存數(shù)組;另一部份則會影響接口。DDR接口可以同時與內(nèi)存數(shù)組以及外部系統(tǒng)進行通訊。

  

 

  圖3:LPDDR4的邏輯組織架構(gòu),圖中將儲存數(shù)組和DDR接口分開。箭頭代表一次讀取操作以及回寫

  圖3說明了這種關(guān)系,即DDR緩存器作為外部系統(tǒng)和內(nèi)存數(shù)組之間的主接口。而在讀取數(shù)據(jù)時,數(shù)組數(shù)據(jù)會先被加載DDR緩存器中;進行寫入作業(yè)時,所需的數(shù)據(jù)會先從外部寫入緩存器中。

  由于讀取傳統(tǒng)DRAM數(shù)組內(nèi)容可能破壞原有數(shù)據(jù),每一次讀取后都必須進行回寫作業(yè),以恢復原有值。在進行讀取后,DDR緩存器的內(nèi)容被復制到“隱藏緩存器”(Shadow Register)中。當外部系統(tǒng)讀取DDR緩存器中的數(shù)據(jù)時,隱藏緩存器負責將數(shù)據(jù)回寫到所選頁,以恢復原有數(shù)值。同樣地,當寫入數(shù)據(jù)時,DDR緩存器的數(shù)據(jù)會被傳輸?shù)诫[藏緩存器中等待寫入;而在執(zhí)行寫入作業(yè)時,DDR緩存器就可以加載新的數(shù)據(jù)。

  讀取內(nèi)存分頁數(shù)據(jù)涉及一連串的活動,類似于兩個巢式的軟件DO回路(Do loop)。每一分頁內(nèi)存被分成由許多256字節(jié)成、成批(burst)讀取的內(nèi)存群組,因此,一組16K位分頁就有64個burst內(nèi)存群組,依序讀取完整的內(nèi)存頁,這類似于外部DO回路。

  

 

  圖4:內(nèi)存分頁由分批依序讀取的內(nèi)存群組構(gòu)成;每一批burst群組均依據(jù)16個連續(xù)的16位傳送到I/O

  每個突發(fā)傳輸組被加載256位的DDR緩存器中,該緩存器被分為16個16位字,并依序讀取其內(nèi)容,為每一個頻率邊緣提供每一個16位字。這種操作方式則如同內(nèi)部DO回路。

  每一行的地址(RAS)負責選擇分頁。同時,每一列的地址(CAS)選擇突發(fā)傳輸組,并設(shè)置從DDR緩存器中開始讀取的字符,因而不必從DDR緩存器的左側(cè)開始讀取。

  值得注意的是,在隱藏緩存器執(zhí)行回寫、讀取或?qū)懭隓DR緩存器中原先加載數(shù)據(jù)的同時,DDR緩存器已經(jīng)開始從儲存數(shù)組中讀取數(shù)據(jù)或從外部加載所寫數(shù)據(jù)了。

參與評論
回復:
0/300
文明上網(wǎng)理性發(fā)言,評論區(qū)僅供其表達個人看法,并不表明a&s觀點。
0
關(guān)于我們

a&s傳媒是全球知名展覽公司法蘭克福展覽集團旗下的專業(yè)媒體平臺,自1994年品牌成立以來,一直專注于安全&自動化產(chǎn)業(yè)前沿產(chǎn)品、技術(shù)及市場趨勢的專業(yè)媒體傳播和品牌服務。從安全管理到產(chǎn)業(yè)數(shù)字化,a&s傳媒擁有首屈一指的國際行業(yè)展覽會資源以及豐富的媒體經(jīng)驗,提供媒體、活動、展會等整合營銷服務。

免責聲明:本站所使用的字體和圖片文字等素材部分來源于互聯(lián)網(wǎng)共享平臺。如使用任何字體和圖片文字有冒犯其版權(quán)所有方的,皆為無意。如您是字體廠商、圖片文字廠商等版權(quán)方,且不允許本站使用您的字體和圖片文字等素材,請聯(lián)系我們,本站核實后將立即刪除!任何版權(quán)方從未通知聯(lián)系本站管理者停止使用,并索要賠償或上訴法院的,均視為新型網(wǎng)絡(luò)碰瓷及敲詐勒索,將不予任何的法律和經(jīng)濟賠償!敬請諒解!
? 2024 - 2030 Messe Frankfurt (Shenzhen) Co., Ltd, All rights reserved.
法蘭克福展覽(深圳)有限公司版權(quán)所有 粵ICP備12072668號 粵公網(wǎng)安備 44030402000264號
用戶
反饋