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新款256GB西部數(shù)據TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術，產品生命周期超越了2D NAND，以滿足不斷變化的應用需求和不斷增長的容量需求。
3D NAND技術使得用戶能夠獲得更高的內置存儲容量，從而支持其整個智能手機生命周期對數(shù)據的需求。
借助西部數(shù)據的64層3D NAND技術和先進的UFS與e.MMC接口技術，新型的智能iNAND? 8521和iNAND? 7550嵌入式閃存盤能夠提供卓越的數(shù)據性能和高容量存儲。
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