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西數(shù)在ISSCC上發(fā)布512GB的64-layer 3D NAND芯片

新元件是業(yè)內(nèi)首個512GB的64層3D NAND芯片,其密度比2016年七月推出的首款64層芯片架構(gòu)增加了一倍。
    在今年初的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,西部數(shù)據(jù)(Western Digital, WD)宣布已經(jīng)開始在日本四日市(Yokkaichi)量產(chǎn)512GB的每單元三位的64層3D NAND芯片(BICS3),預(yù)計2017下半年可批量生產(chǎn)。

  新的512Gb 64層芯片是由西數(shù)和制造伙伴東芝共同生產(chǎn)。WD曾在2015年推出48層3D NAND產(chǎn)品,并于2016年七月份公布64層3D NAND產(chǎn)品,并已在零售和OEM市場出貨。
 
  WD稱新元件是業(yè)內(nèi)首個512GB的64層3D NAND芯片,其密度比2016年七月推出的首款64層芯片架構(gòu)增加了一倍。WD執(zhí)行副總裁Siva Sivaram表示,新元件將讓該公司快速擴大3D NAND產(chǎn)品線,能解決在零售、移動和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中數(shù)據(jù)快速增長的存儲需求問題。
 
  據(jù)了解,WD已經(jīng)在今年的ISSCC揭露了新元件的半導(dǎo)體工藝技術(shù)信息。
 
 
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